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IPD60R400CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

DPAK-252

描述:

650V,14.7A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD60R400CE 数据手册 (17 页)

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IPD60R400CE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

DPAK-252

极性

N-CH

功耗

83 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

10.3A

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IPD60R400CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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IPD60R400CE 符合标准

IPD60R400CE 海关信息

IPD60R400CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

17 页 / 1.25 MByte

IPD60R400CE 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD60R400CE 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

51 页 / 2.6 MByte

IPD60R400CE 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPD60R400 数据手册

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650V,14.7A,N沟道功率MOSFET

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Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 14.7 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

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