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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MMUN2212LT1G Datasheet 文档
MMUN2212LT1G
0.014
MMUN2212LT1G 数据手册 (12 页)
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MMUN2212LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
NPN
功耗
0.4 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
60 @5mA, 10V
最大电流放大倍数
60
额定功率(Max)
246 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400 mW

MMUN2212LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMUN2212LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 1.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MMUN2212LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMUN2212LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
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