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器件3D模型
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MMUN2212LT1G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-23-3
描述:
ON SEMICONDUCTOR MMUN2212LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
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MMUN2212LT1G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
NPN
功耗
0.4 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
60 @5mA, 10V
最大电流放大倍数
60
额定功率(Max)
246 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400 mW
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MMUN2212LT1G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
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MMUN2212LT1G 符合标准
MMUN2212LT1G 海关信息
MMUN2212LT1G 概述
●
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 22KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 22KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 60-100 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.25W /250mW Description & Applications| Features • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space and Component Count • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 特性 •简化电路设计 •缩小板级空间和元件数量 •这些器件是无铅,无卤/不含BFR,并符合RoHS标准
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ON SEMICONDUCTOR MMUN2212LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
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