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IPG20N06S2L35ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8-4

描述:

INFINEON IPG20N06S2L35ATMA1 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPG20N06S2L35ATMA1 数据手册 (9 页)

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IPG20N06S2L35ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8-4

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.028 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

65 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

790pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

65 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

65 W

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IPG20N06S2L35ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPG20N06S2L35ATMA1 符合标准

IPG20N06S2L35ATMA1 概述

IPG20N06S2L35ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.15 MByte

IPG20N06S2L35ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPG20N06S2L35ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

IPG20N06S2L35ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPG20N06S2L35 数据手册

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