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IPI90R1K2C3XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI90R1K2C3XKSA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPI90R1K2C3XKSA1 数据手册 (10 页)

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IPI90R1K2C3XKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

额定功率

83 W

极性

N-Channel

功耗

83W (Tc)

漏源极电压(Vds)

900 V

连续漏极电流(Ids)

5.10 A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

710pF @100V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83W (Tc)

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IPI90R1K2C3XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.2 mm

宽度

9.45 mm

高度

4.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPI90R1K2C3XKSA1 符合标准

IPI90R1K2C3XKSA1 概述

IPI90R1K2C3XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.25 MByte

IPI90R1K2C3XKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPI90R1K2C3XKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

38 页 / 0.73 MByte

IPI90R1K2C3XKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

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