器件3D模型

￥ 0.544

SI4804BDY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOP

描述:

双N沟道30 V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4804BDY-T1-E3 数据手册 (1 页)

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SI4804BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOP

极性

Dual N-Channel

功耗

1100 mW

漏源极电压(Vds)

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

7.50 A

上升时间

10 ns

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1100 mW

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SI4804BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.55 mm

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SI4804BDY-T1-E3 符合标准

SI4804BDY-T1-E3 数据手册

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