￥ 1.804

IPL60R299CP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-VSON-4

描述:

INFINEON IPL60R299CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11.1 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPL60R299CP 数据手册 (13 页)

封装尺寸在12 页

IPL60R299CP 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPL60R299CP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

PG-VSON-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.27 Ω

极性

N-Channel

功耗

96 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

11.1A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

1100pF @100V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

96W (Tc)

查看数据手册 >

IPL60R299CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

8 mm

高度

1.10 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IPL60R299CP 符合标准

IPL60R299CP 海关信息

IPL60R299CP 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 1.61 MByte

IPL60R299CP 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.58 MByte

IPL60R299 数据手册

IPL60R299CPAUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPL60R299CPAUMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11.1 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V

IPL60R299CP 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPL60R299CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11.1 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号