￥ 7.829

IPL65R070C7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

VSON EP-4

描述:

场效应管(MOSFET) IPL65R070C7 VSON-4(8x8)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPL65R070C7 数据手册 (15 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPL65R070C7 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

VSON EP-4

极性

N-CH

功耗

169 W

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

28A

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

3020pF @400V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

169000 mW

查看数据手册 >

IPL65R070C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

8 mm

宽度

8 mm

高度

1.10 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

IPL65R070C7 符合标准

IPL65R070C7 海关信息

IPL65R070C7 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 1.8 MByte

IPL65R070C7 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPL65R070C7 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 1.03 MByte

IPL65R070C7 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPL65R070C7 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.1 MByte

IPL65R070 数据手册

IPL65R070C7AUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 3.5 V

IPL65R070C7 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPL65R070C7 VSON-4(8x8)

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号