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IPN50R650CEATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223-4

描述:

INFINEON IPN50R650CEATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.59 ohm, 13 V, 3 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPN50R650CEATMA1 数据手册 (13 页)

IPN50R650CEATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-223-4

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.59 Ω

极性

N-Channel

功耗

5 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

6.1A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

342pF @100V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

耗散功率(Max)

5000 mW

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IPN50R650CEATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

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IPN50R650CEATMA1 符合标准

IPN50R650CEATMA1 海关信息

IPN50R650CEATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 1.24 MByte

IPN50R650CEATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPN50R650CEATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

51 页 / 2.6 MByte

IPN50R650CEATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPN50R650CEATMA1 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.22 MByte

IPN50R650 数据手册

IPN50R650CEATMA1 数据手册

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INFINEON IPN50R650CEATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.59 ohm, 13 V, 3 V 新

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