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STL42P6LLF6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerFLAT-8

描述:

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STL42P6LLF6 数据手册 (14 页)

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STL42P6LLF6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerFLAT-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.023 Ω

功耗

100 W

漏源极电压(Vds)

60 V

输入电容值(Ciss)

3780pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

100W (Tc)

STL42P6LLF6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.35 mm

宽度

5.4 mm

高度

0.95 mm

工作温度

175℃ (TJ)

STL42P6LLF6 符合标准

STL42P6LLF6 概述

STL42P6LLF6 数据手册

STL42P6LLF6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.44 MByte

STL42P6 数据手册

STL42P6LLF6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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