￥ 1.876

IPP023N10N5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPP023N10N5 数据手册 (12 页)

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IPP023N10N5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

375 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

120A

上升时间

26 ns

输入电容值(Ciss)

12000pF @50V(Vds)

下降时间

29 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375 W

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IPP023N10N5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.57 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPP023N10N5 符合标准

IPP023N10N5 概述

IPP023N10N5 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.33 MByte

IPP023N10N5 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPP023N10N5 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPP023N10N5 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPP023N10 数据手册

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INFINEON IPP023N10N5AKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 3 V 新

IPP023N10N5 数据手册

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