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IPP05CN10NG
2.412
IPP05CN10NG 数据手册 (11 页)
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IPP05CN10NG 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3-1
额定功率
300 W
功耗
300 W
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
42 ns
输入电容值(Ciss)
12000pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
21 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300000 mW

IPP05CN10NG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tube

IPP05CN10NG 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.76 MByte

IPP05CN10 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP05CN10NGXKSA1, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
100V,100A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
N沟道 100V 100A
Infineon(英飞凌)
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