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STD30N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STD30N10F7 系列 100 V 0.024 Ohm 表面贴装 N 沟道功率 Mosfet - DPAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STD30N10F7 数据手册 (16 页)

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STD30N10F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

50 W

输入电容

1270 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

32A

上升时间

17.5 ns

输入电容值(Ciss)

1270pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

5.6 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50W (Tc)

STD30N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD30N10F7 符合标准

STD30N10F7 数据手册

STD30N10F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

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