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IPP220N25NFD
4.114
IPP220N25NFD 数据手册 (12 页)
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IPP220N25NFD 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
300 W
漏源极电压(Vds)
250 V
连续漏极电流(Ids)
61A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
5320pF @125V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 W

IPP220N25NFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.57 mm
高度
15.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IPP220N25NFD 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 1.26 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPP220N25 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS FD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP220N25NFDAKSA1, 61 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™ FD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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