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IPP50R250CP
1.587
IPP50R250CP 数据手册 (11 页)
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IPP50R250CP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
13A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
1420pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
114 W
下降时间
11 ns

IPP50R250CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPP50R250CP 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.63 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPP50R250 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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