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IPP200N15N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IPP200N15N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPP200N15N3 G 数据手册 (12 页)

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IPP200N15N3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

16 mΩ

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

150 V

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

1820pF @75V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 W

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IPP200N15N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.36 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPP200N15N3 G 符合标准

IPP200N15N3 G 概述

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