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IPP50R500CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPP50R500CE 数据手册 (2 页)

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IPP50R500CE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

漏源极电压(Vds)

550 V

连续漏极电流(Ids)

7.6A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

433pF @100V(Vds)

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

57 W

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IPP50R500CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.36 mm

宽度

4.57 mm

高度

15.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPP50R500CE 符合标准

IPP50R500CE 概述

IPP50R500CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.94 MByte

IPP50R500CE 开发手册

Infineon（英飞凌）

20 页 / 0.75 MByte

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Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R500CEXKSA1, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装

IPP50R500CE 数据手册

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