￥ 2.332

STB20N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

650V,0.160Ω,18A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STB20N65M5 数据手册 (22 页)

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STB20N65M5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

功耗

130 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

输入电容值(Ciss)

1434pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

130 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

130W (Tc)

STB20N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

STB20N65M5 符合标准

STB20N65M5 数据手册

STB20N65M5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.12 MByte

STB20N65M5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 1.14 MByte

STB20N65 数据手册

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650V,0.160Ω,18A,N沟道功率MOSFET

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