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IPS511G
器件3D模型
64.301
IPS511G 数据手册 (11 页)
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IPS511G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
35.0V (max)
工作电压
35.0V (max)
封装
SOIC-8
输出接口数
1 Output
输入电压(DC)
5.50 V
供电电流
0.7 mA
通道数
1 Channel
漏源极电阻
150 mΩ
功耗
1000 mW
零部件系列
IPS511G
输出电流(Max)
1.4 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
电源电压
5.5V ~ 35V

IPS511G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IPS511G 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.17 MByte

IPS511 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
IRF
充分保护高侧功率MOSFET开关 FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
Infineon(英飞凌)
IPS),Infineon过热关闭 短路保护,电流限制断路 有源箝位 低电流与逻辑电平输入 EMI 优化开/关 ESD 保护 ### 电源开关,Infineon
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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