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IPW60R070C6
3.131
IPW60R070C6 数据手册 (13 页)
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IPW60R070C6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
极性
N-Channel
功耗
391W (Tc)
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
53A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
3800pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
391 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
391W (Tc)

IPW60R070C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPW60R070C6 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.69 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPW60R070 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 53.5 A, 600 V, 0.063 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
600V,70mΩ,53.5A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
N沟道 650V 31A
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 0.057 ohm, 10 V, 4 V
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