STY60NM50

￥ 0.261

STY60NM50 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

STMICROELECTRONICS STY60NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 50 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STY60NM50 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STY60NM50 数据手册 (8 页)

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STY60NM50 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.05 Ω

极性

N-Channel

功耗

560 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

58 ns

输入电容值(Ciss)

7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

560 W

下降时间

46 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

560W (Tc)

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STY60NM50 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

5.3 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STY60NM50 符合标准

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ST Microelectronics（意法半导体）

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STY60NM50 产品修订记录

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