￥ 2.34

IPW65R150CFD 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-247-3

描述:

650V,22.4A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPW65R150CFD 数据手册 (20 页)

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IPW65R150CFD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

195.3 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

22.4A

上升时间

7.6 ns

下降时间

5.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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IPW65R150CFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPW65R150CFD 符合标准

IPW65R150CFD 数据手册

Infineon（英飞凌）

20 页 / 3.72 MByte

IPW65R150CFD 产品设计参考手册

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IPW65R150CFD 其他数据使用手册

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