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IPW90R120C3XK
8.964
IPW90R120C3XK 数据手册 (11 页)
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IPW90R120C3XK 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
900 V
连续漏极电流(Ids)
36A
上升时间
20 ns
下降时间
24 ns

IPW90R120C3XK 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPW90R120C3XK 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.53 MByte

IPW90R120C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW90R120C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 900 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R120C3FKSA1, 36 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 900 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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