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IPZ40N04S58R4ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON-8-32

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPZ40N04S58R4ATMA1 数据手册 (10 页)

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IPZ40N04S58R4ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON-8-32

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.007 Ω

极性

N-CH

功耗

34 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

40A

上升时间

2 ns

输入电容值(Ciss)

771pF @25V(Vds)

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

34W (Tc)

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IPZ40N04S58R4ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPZ40N04S58R4ATMA1 符合标准

IPZ40N04S58R4ATMA1 概述

IPZ40N04S58R4ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.31 MByte

IPZ40N04S58R4ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPZ40N04S58R4ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPZ40N04S58R4ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPZ40N04S58R4ATMA1 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.96 MByte

IPZ40N04S58R4 数据手册

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Infineon（英飞凌）

N沟道 40V 40A

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晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.8 V

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