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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Infineon(英飞凌) > IR11672ASPBF Datasheet 文档
IR11672ASPBF
器件3D模型
0.911
IR11672ASPBF 数据手册 (26 页)
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IR11672ASPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
11.3V (min)
封装
SOIC-8
输出接口数
1 Output
输出电压
10.7 V
输出电流
2 A
供电电流
50 mA
针脚数
8 Position
功耗
970 mW
上升时间
18 ns
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-25 ℃
电源电压
11.4V ~ 18V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
11.3 V
输入电压
200 V

IR11672ASPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Each
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-25℃ ~ 125℃

IR11672ASPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
26 页 / 0.61 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.18 MByte

IR11672 数据手册

Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR11672ASPBF  芯片, MOSFET, 半桥, 11.3V-20V电源, 7A输出, 50ns延迟, SOIC-8
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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