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IR11682SPBF
器件3D模型
2.296
IR11682SPBF 数据手册 (22 页)
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IR11682SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
8.60V (min)
封装
SOIC-8
输出接口数
1 Output
输出电压
10.7 V
供电电流
48 mA
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
970 mW
下降时间(Max)
25 ns
上升时间(Max)
80 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
970 mW
电源电压
8.6V ~ 18V
电源电压(Max)
18 V
电源电压(Min)
8.6 V

IR11682SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Each
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-25℃ ~ 125℃

IR11682SPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
22 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
22 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.06 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.56 MByte

IR11682 数据手册

Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR11682SPBF  驱动器, MOSFET, 半桥, 8.6V-18V电源, 4A输出, 80ns延迟, SOIC-8
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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