IR2101STRPBF

器件3D模型

￥ 0.3

IR2101STRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IR2101STRPBF 芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IR2101STRPBF 数据手册 (14 页)

封装尺寸在13 页

典型应用电路图在1 页

原理图在4 页

IR2101STRPBF 数据手册 (14 页)

或点击图片查看大图

IR2101STRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

10.0V (min)

工作电压

10V ~ 20V

封装

SOIC-8

上升/下降时间

100ns, 50ns

输出接口数

2 Output

输出电压

10V ~ 20V

输出电流

210 mA

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

功耗

0.625 W

静态电流

270 µA

上升时间

170 ns

下降时间

90 ns

下降时间(Max)

90 ns

上升时间(Max)

170 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

电源电压

10V ~ 20V

电源电压(Max)

20 V

电源电压(Min)

10 V

查看数据手册 >

IR2101STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IR2101STRPBF 符合标准

IR2101STRPBF 海关信息

IR2101STRPBF 概述

IR2101STRPBF 数据手册

IR2101STRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 0.13 MByte

IR2101STRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 7.29 MByte

IR2101STRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IR2101STRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.41 MByte

IR2101STRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.12 MByte

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INFINEON IR2101PBF 双路驱动器, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8

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INFINEON IR2101SPBF 芯片, MOSFET驱动器高边&低边

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INTERNATIONAL RECTIFIER IR2101PBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-8 新

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