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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > International Rectifier(国际整流器) > IR2102STRPBF Datasheet 文档
IR2102STRPBF
器件3D模型
1.96
IR2102STRPBF 数据手册 (14 页)
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IR2102STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC
输出接口数
2 Output
功耗
0.625 W
上升时间
170 ns
下降时间
90 ns
下降时间(Max)
90 ns
上升时间(Max)
170 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V

IR2102STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1.5 mm

IR2102STRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
14 页 / 0.13 MByte

IR2102 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2102SPBF  芯片, MOSFET/IGBT驱动器
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
半桥 IGBT MOSFET 灌:210mA 拉:360mA
International Rectifier(国际整流器)
600V,高低边驱动器
International Rectifier(国际整流器)
600V,双通道,反相输入,高端和低端驱动器
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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