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IR21091SPBF
器件3D模型
2.487
IR21091SPBF 数据手册 (8 页)
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IR21091SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
150ns, 50ns
输出接口数
2 Output
输出电压
620 V
输出电流
200 mA
针脚数
8 Position
功耗
625 mW
上升时间
220 ns
下降时间
80 ns
下降时间(Max)
80 ns
上升时间(Max)
220 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR21091SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR21091SPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.1 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.12 MByte

IR21091 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Vishay Siliconix
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21091SPBF  芯片, 半桥驱动器 单输入
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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