IR2109SPBF

器件3D模型

￥ 1.358

IR2109SPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IR2109SPBF 双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IR2109SPBF 数据手册 (25 页)

封装尺寸在23 页

典型应用电路图在1 页

原理图在5 页

IR2109SPBF 数据手册 (25 页)

或点击图片查看大图

IR2109SPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

10.0V (min)

封装

SOIC-8

上升/下降时间

150ns, 50ns

输出接口数

2 Output

输出电压

10.20 V

输出电流

200 mA

针脚数

8 Position

功耗

625 mW

上升时间

220 ns

下降时间

80 ns

下降时间(Max)

80 ns

上升时间(Max)

220 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

电源电压

10V ~ 20V

电源电压(Max)

20 V

电源电压(Min)

10 V

查看数据手册 >

IR2109SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Each

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IR2109SPBF 符合标准

IR2109SPBF 海关信息

IR2109SPBF 概述

IR2109SPBF 数据手册

IR2109SPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

25 页 / 0.34 MByte

IR2109SPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 7.29 MByte

IR2109SPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IR2109SPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

157 页 / 0.36 MByte

IR2109SPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.41 MByte

IR2109SPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IR2109SPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.12 MByte

IR2109 数据手册

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INFINEON IR2109SPBF 双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8

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INFINEON IR21094PBF 双路驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-14

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600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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