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IR2109 典型应用电路图

型号系列:
IR2109 系列
分类:
-
更新于: 2023/01/13 01:42:51 (UTC + 8)

IR2109 - 典型电路

#1
IR2109STRPBF

IR2109STRPBF

典型应用电路图 (30 )
3.4
Infineon(英飞凌)
#2
IR21094SPBF

IR21094SPBF

典型应用电路图 (30 )
3.2
Infineon(英飞凌)
#3
IR2109SPBF

IR2109SPBF

典型应用电路图 (30 )
2.9
Infineon(英飞凌)

IR2109 典型电路 -

30
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21094PBF  双路驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-14
30
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21091SPBF  芯片, 半桥驱动器 单输入
30
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
30
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2109PBF  双路驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-8
30
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
30
Infineon(英飞凌)
30
Infineon(英飞凌)
30
Infineon(英飞凌)
30
Infineon(英飞凌)
30
Infineon(英飞凌)
30
Infineon(英飞凌)

IR2109 - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
PDIP-8
上升/下降时间
150ns, 50ns
电源电压
10V ~ 20V
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