器件3D模型

￥ 0.709

IR2111STRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IR2111STRPBF 数据手册 (15 页)

封装尺寸在14 页

典型应用电路图在1 页

原理图在4 页

IR2111STRPBF 数据手册 (15 页)

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IR2111STRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

10.0V (min)

封装

SOIC-8

上升/下降时间

80ns, 40ns

输出接口数

2 Output

功耗

625 mW

静态电流

180 µA

上升时间

130 ns

下降时间

65 ns

下降时间(Max)

65 ns

上升时间(Max)

130 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

电源电压

10V ~ 20V

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IR2111STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IR2111STRPBF 符合标准

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15 页 / 0.15 MByte

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