Web Analytics
Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Infineon(英飞凌) > IR2112PBF Datasheet 文档
IR2112PBF
器件3D模型
0.864
IR2112PBF 数据手册 (18 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IR2112PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
14 Pin
电源电压
10.0V (min)
工作电压
10V ~ 20V
封装
PDIP-14
额定功率
1.6 W
上升/下降时间
80ns, 40ns
输出接口数
2 Output
输出电压
600 V
输出电流
200.420 mA
通道数
2 Channel
针脚数
14 Position
功耗
1600 mW
静态电流
180 µA
上升时间
130 ns
下降时间
65 ns
下降时间(Max)
65 ns
上升时间(Max)
130 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1600 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2112PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
20.19 mm
宽度
7.11 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2112PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
18 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
4 页 / 0.11 MByte

IR2112 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
IRF
高端和低端驱动器 HIGH AND LOW SIDE DRIVER
TT Electronics Resistors
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2112SPBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 420mA输出, 105ns延迟, SOIC-16
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2112PBF  双功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 420mA输出, 105ns延迟, DIP-14
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2112PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-14 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2112SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC16 新
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IR2112 开发手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z