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IR2112STRPBF
器件3D模型
1.295
IR2112STRPBF 数据手册 (18 页)
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IR2112STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-16
额定功率
1.25 W
上升/下降时间
80ns, 40ns
输出接口数
2 Output
输出电压
600 V
输出电流
200 mA
通道数
2 Channel
针脚数
16 Position
功耗
1.25 W
静态电流
180 µA
上升时间
130 ns
下降时间
65 ns
下降时间(Max)
65 ns
上升时间(Max)
130 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2112STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.5 mm
宽度
7.6 mm
高度
2.65 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2112STRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
18 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

IR2112 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
IRF
高端和低端驱动器 HIGH AND LOW SIDE DRIVER
TT Electronics Resistors
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2112SPBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 420mA输出, 105ns延迟, SOIC-16
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2112PBF  双功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 420mA输出, 105ns延迟, DIP-14
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2112PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-14 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2112SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC16 新
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