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IR2113E6
108.547
IR2113E6 数据手册 (14 页)
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IR2113E6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
18 Pin
电源电压
10.0V (min)
输出接口数
2 Output
功耗
1.6 W
零部件系列
IR2113E6
上升时间
35 ns
下降时间
25 ns
下降时间(Max)
25 ns
上升时间(Max)
35 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1600 mW

IR2113E6 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
14 页 / 0.19 MByte
International Rectifier(国际整流器)
14 页 / 0.12 MByte

IR2113 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2113STRPBF  芯片, MOSFET驱动器 高边 & 低边
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2113SPBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 94ns延迟, SOIC-16
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2113PBF  双功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 94ns延迟, DIP-14
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2113STRPBF  芯片, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC16
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2113PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-14 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2113SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC16 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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