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IRF630NSTRLPBF
0.291
IRF630NSTRLPBF 数据手册 (11 页)
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IRF630NSTRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
82 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.3 Ω
极性
N-Channel
功耗
82 W
阈值电压
4 V
输入电容
575 pF
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
9.3A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
575pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
82 W
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
82W (Tc)

IRF630NSTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
11.3 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF630NSTRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.19 MByte

IRF630 数据手册

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功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 12A , 150至200 V N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
9A , 200V , 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
International Rectifier(国际整流器)
ON Semiconductor(安森美)
Vishay Siliconix
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
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