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IR2130PBF
器件3D模型
13.006
IR2130PBF 数据手册 (26 页)
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IR2130PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
28 Pin
工作电压
10V ~ 20V
封装
PDIP-28
额定功率
1.5 W
上升/下降时间
80ns, 35ns
输出接口数
6 Output
输出电压
620 V
输出电流
250 mA
通道数
6 Channel
针脚数
28 Position
功耗
1500 mW
上升时间
125ns (Max)
下降时间
55ns (Max)
下降时间(Max)
55 ns
上升时间(Max)
125 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1500 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2130PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
39.75 mm
宽度
14.73 mm
高度
6.35 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2130PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
26 页 / 0.29 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

IR2130 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2130SPBF  功率驱动器, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 425ns延迟, SOIC-28
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2130PBF..  芯片, MOSFET驱动器 3相
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2130PBF  芯片, 三相桥驱动器, 500mA, DIP-28
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2130JPBF  芯片, MOSFET/IGBT驱动器
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2130SPBF  芯片, MOSFET驱动器, 半桥, SOIC-28
International Rectifier(国际整流器)
IR2130STRPBF 管装
International Rectifier(国际整流器)
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