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IR2132S
器件3D模型
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IR2132S 数据手册 (21 页)
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IR2132S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
28 Pin
电源电压
20.0V (max)
封装
SOIC-28
上升/下降时间
80ns, 35ns
输出接口数
6 Output
功耗
1600 mW
零部件系列
IR2132
下降时间(Max)
55 ns
上升时间(Max)
125 ns
耗散功率(Max)
1600 mW
电源电压
10V ~ 20V

IR2132S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2132S 数据手册

Infineon(英飞凌)
21 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte

IR2132 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
Infineon(英飞凌)
门驱动器 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2132SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, SOIC-28 新
International Rectifier(国际整流器)
3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
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