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IR2133JTRPBF
器件3D模型
4.808
IR2133JTRPBF 数据手册 (27 页)
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IR2133JTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
32 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
PLCC-44
上升/下降时间
90ns, 40ns
输出接口数
6 Output
针脚数
44 Position
功耗
2000 mW
下降时间(Max)
70 ns
上升时间(Max)
150 ns
工作温度(Max)
125 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2133JTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
125℃ (TJ)

IR2133JTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IR2133 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
3相桥式驱动器 3-PHASE BRIDGE DRIVER
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2133SPBF  驱动器, MOSFET, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 700ns延迟, SOIC-28
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2133JTRPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 高/低压侧, SOIC-8 新
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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