器件3D模型

￥ 0.063

IR25604STRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IR25604STRPBF 数据手册 (20 页)

封装尺寸在17 页

典型应用电路图在2 页

原理图在5 页

IR25604STRPBF 数据手册 (20 页)

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IR25604STRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

上升/下降时间

150ns, 50ns

输出接口数

2 Output

功耗

625 mW

下降时间(Max)

80 ns

上升时间(Max)

220 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

电源电压

10V ~ 20V

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IR25604STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IR25604STRPBF 符合标准

IR25604STRPBF 海关信息

IR25604STRPBF 概述

IR25604STRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

20 页 / 1.91 MByte

IR25604STRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 7.29 MByte

IR25604STRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IR25604STRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.41 MByte

IR25604 数据手册

IR25604SPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IR25604SPBF 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8

IR25604STRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

IR25604SPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA

IR25604STRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IR25604S 数据手册

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