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IKB20N60TATMA1
1.523
IKB20N60TATMA1 数据手册 (13 页)
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IKB20N60TATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
功耗
166000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
41 ns
额定功率(Max)
166 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
166000 mW

IKB20N60TATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)

IKB20N60TATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.68 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 2 MByte

IKB20N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT的沟槽场终止和技术,柔软,快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT
Infineon(英飞凌)
IGBT-沟槽型场截止-600V-40A-166W-表面贴装型-PG-TO263
Infineon(英飞凌)
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
Infineon(英飞凌)
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