IRF1010NPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

INFINEON  IRF1010EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V

INFINEON  IRF1010NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 55 V, 0.011 ohm, 10 V, 4 V

INFINEON  IRF1010EZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 V

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010EPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新

N 沟道 60 V 200 W 130 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - D2PAK

场效应管(MOSFET) IRF1010NSTRRPBF D2PAK

N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。