Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRF1010NSPBF Datasheet 文档
IRF1010NSPBF
0.244
IRF1010NSPBF 数据手册 (11 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF1010NSPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
85.0 A
封装
TO-252-3
极性
N-Channel
功耗
180 W
零部件系列
IRF1010NS
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55.0 V
连续漏极电流(Ids)
85.0 A
上升时间
76.0 ns
输入电容值(Ciss)
3210pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
180 W

IRF1010NSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

IRF1010NSPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.14 MByte

IRF1010 数据手册

VISHAY(威世)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 55 V, 0.011 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010EZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010EPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
N 沟道 60 V 200 W 130 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - D2PAK
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF1010NSTRRPBF D2PAK
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
IRF1010EZSTRLP 编带
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF1010 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z