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IRF1404Z
0.401
IRF1404Z 数据手册 (12 页)
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IRF1404Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
75.0 A
漏源极电阻
2.70 MΩ
功耗
220 W
零部件系列
IRF1404Z
漏源极电压(Vds)
40.0 V
漏源击穿电压
40.0V (min)
连续漏极电流(Ids)
75.0 A
上升时间
110 ns

IRF1404Z 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.28 MByte

IRF1404 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF1404 管装
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(ON) = 0.004ohm ,ID = 162A ) Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1404PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1404ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1404PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 202A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
IRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-Pak
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1404ZPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 190A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1404LPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V 新
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