￥ 1.676

STL220N6F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerVDFN-8

描述:

N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻，降低了内部电容和栅极电荷，提供更快更高效的切换。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STL220N6F7 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STL220N6F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerVDFN-8

功耗

188 W

输入电容

6500 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

43 ns

输入电容值(Ciss)

6600pF @25V(Vds)

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

4.8W (Ta), 187W (Tc)

STL220N6F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.15 mm

宽度

5.2 mm

高度

0.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STL220N6F7 符合标准

STL220N6F7 海关信息

STL220N6F7 概述

STL220N6F7 数据手册

STL220N6F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.72 MByte

STL220N6 数据手册

STL220N6F7 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻，降低了内部电容和栅极电荷，提供更快更高效的切换。

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号