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IRF2807ZPBF
0.899
IRF2807ZPBF 数据手册 (12 页)
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IRF2807ZPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
170 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0094 Ω
极性
N-Channel
功耗
170 W
阈值电压
4 V
输入电容
3270 pF
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75 V
连续漏极电流(Ids)
89A
上升时间
79 ns
输入电容值(Ciss)
3270pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
170 W
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
170W (Tc)

IRF2807ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF2807ZPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.39 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.05 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

IRF2807 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V ,ID = 82A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Id=82A)
Vishay Semiconductor(威世)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2807PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N 沟道 75 V 230 W 160 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF2807PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 82A TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2807ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2807SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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