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IRF2903ZLPBF
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IRF2903ZLPBF 数据手册 (11 页)
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IRF2903ZLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-262-3
极性
N-CH
功耗
290 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
170A
输入电容值(Ciss)
6320pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
231W (Tc)

IRF2903ZLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
10.2 mm
宽度
4.5 mm
高度
9.45 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF2903ZLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.33 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.1 MByte

IRF2903 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2903ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 30 V, 0.0019 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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