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IRF3007SPBF
0.384
IRF3007SPBF 数据手册 (11 页)
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IRF3007SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
120 W
通道数
1 Channel
极性
N-Channel
功耗
120 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
62A
上升时间
80 ns
输入电容值(Ciss)
3270pF @25V(Vds)
下降时间
49 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
120W (Tc)

IRF3007SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF3007SPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRF3007 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF3007SPBF D2PAK
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 75V 62A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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