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MJD45H11T4-A
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MJD45H11T4-A 数据手册 (8 页)
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MJD45H11T4-A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
DPAK-252
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
8A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
20000 mW

MJD45H11T4-A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Pre-Release
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MJD45H11T4-A 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.17 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.23 MByte

MJD45H11T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJD45H11T4  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 20 W, -8 A, 40 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
Motorola(摩托罗拉)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
ST Microelectronics(意法半导体)
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