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IRF3205PBF
器件3D模型
0.596
IRF3205PBF 数据手册 (12 页)
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IRF3205PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
110 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
8 mΩ
极性
N-Channel
功耗
200 W
零部件系列
IRF3205
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
110 A, 98.0 A
上升时间
101 ns
输入电容值(Ciss)
3247pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
200 W
下降时间
65 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200000 mW

IRF3205PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.67 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF3205PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.31 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte

IRF3205 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3205STRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3205ZPBF  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3205SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3205LPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3205ZLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 4 V 新
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