IRF3709ZPBF

￥ 0.32

IRF3709ZPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF3709ZPBF 数据手册 (13 页)

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IRF3709ZPBF 数据手册 (13 页)

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IRF3709ZPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

79 W

通道数

1 Channel

漏源极电阻

7.8 mΩ

极性

N-Channel

功耗

79 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

87A

上升时间

41 ns

输入电容值(Ciss)

2130pF @15V(Vds)

下降时间

4.7 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

79W (Tc)

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IRF3709ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

8.77 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF3709ZPBF 符合标准

IRF3709ZPBF 概述

IRF3709ZPBF 数据手册

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13 页 / 0.36 MByte

IRF3709ZPBF 产品设计参考手册

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270 页 / 11.59 MByte

IRF3709ZPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.3 MByte

IRF3709ZPBF 产品设计图

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IRF3709ZPBF 开发手册

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